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Amorphisierung von 6H-SiC durch Ionenimplantationen als planare Randstruktur für Siliziumkarbidbauelemente

F. Wischmeyer, C. Schröder, R. Held, W. Skorupa, W. Heiland, in: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, 1995.

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Konferenzbeitrag | Deutsch
Autor*in
Wischmeyer, Frank; Schröder, ChristianFH Bielefeld ; Held, Raban; Skorupa, Wolfgang; Heiland, Werner
Erscheinungsjahr
Titel des Konferenzbandes
Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft
Konferenz
Frühjahrstagung der Deutschen Physikalischen Gesellschaft
Konferenzort
Berlin
FH-PUB-ID

Zitieren

Wischmeyer, Frank ; Schröder, Christian ; Held, Raban ; Skorupa, Wolfgang ; Heiland, Werner: Amorphisierung von 6H-SiC durch Ionenimplantationen als planare Randstruktur für Siliziumkarbidbauelemente. In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, 1995
Wischmeyer F, Schröder C, Held R, Skorupa W, Heiland W. Amorphisierung von 6H-SiC durch Ionenimplantationen als planare Randstruktur für Siliziumkarbidbauelemente. In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft. ; 1995.
Wischmeyer, F., Schröder, C., Held, R., Skorupa, W., & Heiland, W. (1995). Amorphisierung von 6H-SiC durch Ionenimplantationen als planare Randstruktur für Siliziumkarbidbauelemente. In Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft. Berlin.
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Wischmeyer, Frank, Christian Schröder, Raban Held, Wolfgang Skorupa, and Werner Heiland. “Amorphisierung von 6H-SiC durch Ionenimplantationen als planare Randstruktur für Siliziumkarbidbauelemente.” In Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, 1995.
F. Wischmeyer, C. Schröder, R. Held, W. Skorupa, and W. Heiland, “Amorphisierung von 6H-SiC durch Ionenimplantationen als planare Randstruktur für Siliziumkarbidbauelemente,” in Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 1995.
Wischmeyer, Frank, et al. “Amorphisierung von 6H-SiC durch Ionenimplantationen als planare Randstruktur für Siliziumkarbidbauelemente.” Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, 1995.

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